T3Ster是由MicReD研发的先进半导体器件热瞬态特性测试仪，它采用全新的理念，可实现对复杂半导体热特性精确、快速和可重复性地测试，非常适合于对大量半导体器件如堆栈IC、单片设备以及分立半导体器件（如功率晶体管、IGBT、功率LED）的快速测试和质量检验。

使用 T3Ster 精确的热测试能帮助您

降低产品故障率

符合最新的行业标准

公布精确、可验证的产品相关数据

获取热仿真所需的实际输入参数

T3Ster 的独特优势

T3Ster 提供无可匹敌的精确度和高重复性的热阻抗数据，它的多通道配置能够以最少的测试获得几乎所有封装种类的特性，提供极其精确的温度测量 (0.01°C)。

T3Ster 是全球唯一基于JEDEC “静态测试方法”（JESD51‐1）、实时采集器件瞬态温度响应曲线的仪器，其测试分辨率可精确至 1µs。

MicReD 是JEDEC 测量结壳热阻的标准（JESD51‐14）的制定者，T3Ster 是目前全球唯一满足此标准的仪器。

T3Ster 独创的结构函数 (Structure Function) 分析法，能够分析器件热传导路径相关结构的热学性能，构建器件等效热学模型，是器件封装工艺、可靠性研究和测试的强大支持工具。

T3Ster 能够处理的工作

重建热流路径

固晶层质检

堆叠芯片封装测试

功率LED 特性

热模型检验和确认 不拆分、非破坏性故障分析

可靠性测试与通过分析循环测试得到

的结构函数分析

应用环境与实际系统中器件的热测试

为仿真（FloTHERM, FloEFD）提供数据

T3Ster 热测试仪的主要配置

T3Ster 测试主机

T3Ster 控制和结果分析软件

T3Ster 功率放大器

T3Ster 扩展机箱 T3Ster 温控仪

用于LED 光热测试系统的TeraLED

热表面材料测试仪DynTIM

JEDEC 标准静止空气箱

T3Ster 的测试范围

半导体器件结温测量

半导体器件热阻和热容测量

半导体器件结构分析

功率LED 特性测量 半导体器件老化实验分析以及封装缺陷诊断

材料热特性测量

热界面材料的接触热阻测量

T3Ster 的测试原理

根据JEDEC 静态测量法原理，通过改变器件的输入功率，使器件温度发生变化，在达到热平衡之前，T3Ster 以 1µs的高速采样率实时记录温度随着时间变化的瞬态响应曲线；在得到温度的响应后，根据公式R_thJA=∆T/∆P 计算稳态热阻；将上述瞬态响应转换为结构函数的形式，方便用户分析器件热流传导路径上的各层结构。T3Ster 没有采用“脉冲方法”（Dynamic Method），因为“脉冲方法”采用延时测量的技术，限制了测量的精度，并且“脉冲方法”在测量瞬态温度响应时并非实时记录数据，而是通过人为构建脉冲加热功率来模拟瞬态过程，所得数据的准确性、完备性和可重复性无法得到保证。  

T3Ster 全球典型客户

GE、IBM、LG、Lumileds 、NXP、OSRAM、Philips、Smsung、ST Microelectronics、Tessera

Philips 上海研发中心、上海亚明照明、LG 中国研发中心、三安光电

华中科技大学（武汉光电国家实验室)、香港科技大学、厦门大学、桂林电子科技大学、中国计量学院

中国计量科学研究院、中国空间技术研究院西安分院、香港应用技术研究院、深圳天电光电科技有限公司

中国空间技术研究院元器件可靠性中心、国家半导体发光器件应用产品质量监督检验中心（厦门质检所）、国家半导体照明产品质量监督检验中心（常州质检所）